STD100N10F7 与 IPD096N08N3 G 区别
| 型号 | STD100N10F7 | IPD096N08N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STD100N10F7 | A-IPD096N08N3 G |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N CH 100V 80A DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 6.22mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 9.6mΩ |
| 上升时间 | - | 30ns |
| Ciss | - | 1810.0 pF |
| Qg-栅极电荷 | - | 26nC |
| Rth | - | 1.5 K/W |
| Coss | - | 490.0pF |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 30S |
| 栅极电压Vgs | - | 2.8V,2V,3.5V |
| 封装/外壳 | TO-252-3 | DPAK (TO-252) |
| 连续漏极电流Id | - | 73A |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C |
| 配置 | - | Single |
| QG (typ @10V) | - | 26.0 nC |
| Ptot max | - | 100.0W |
| 长度 | - | 6.5mm |
| 下降时间 | - | 5ns |
| 高度 | - | 2.3mm |
| Budgetary Price €/1k | - | 0.45 |
| Moisture Level | - | 1 Ohms |
| 漏源极电压Vds | - | 80V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 100W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 23ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 典型接通延迟时间 | - | 13ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 50,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD100N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 50,000 | 当前型号 |
|
AOD296A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V 20V 70A 89W 8.3mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPD096N08N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100W 9.6mΩ 80V 73A DPAK (TO-252) N-Channel 2.8V,2V,3.5V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
AOD66923 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V ±20V 58A 73W 11mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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